中美高科技竞争：美国BIS 2024新规对中国半导体与AI领域的新一轮限制

针对中国半导体与AI行业的“自主可控”战略，美国采用“小院高墙”策略进行遏制。延续2022年和2023年已经实施的对中国先进制程半导体制造、半导体制造设备、先进计算芯片及超级计算机行业的限制和围堵（见我们此前的分析文章：《美国针对中国半导体行业的出口管制新规简介》；《美国出口管制新规对中国半导体企业影响要点分析》，美国商务部产业安全局（BIS）在2024年12月2日再次发布新规，针对中国半导体及人工智能领域施加了新一轮限制。

2024新规旨在进一步阻碍中国“自主可控”半导体产业链的发展进程，对先进制程晶圆厂及半导体制造设备厂商施加了更为严格的限制，并全面限制高带宽存储（HBM）芯片对华销售。与此同时，在许可证审查政策、成熟制程许可例外等方面进行了调整，试图在同盟国家的利益与美国经济利益之间寻求微妙的平衡。

本文从法律规定及政策意图的角度出发，对2024新规进行解读，共同探讨新规可能带来的影响以及应对策略。

2024新规的要点包括：

• 新增直接产品规则及“0%”最低比例规则，收紧设备厂商以及若干脚注5实体可获得涉美物项的范围，以进一步限制中国先进制程半导体制造：

  -  新增针对特定先进制程半导体制造设备（SME）的直接产品规则及特殊最低比例规则；

  -  新增实体清单脚注5，及适用于脚注5实体的直接产品规则及特殊最低比例规则。

• 新增设备及软件管控：

  -  在3B001下新增对先进制程半导体制造专用设备的管控；

  -  将主要用于传统制程但可支持先进制程半导体制造的设备移入3B993及3B994进行管控；

  -  新增3D993以管控可用于多重曝光工艺设计的电子计算机辅助设计软件（ECAD软件）及其他配套软件。

• 新增针对高带宽存储芯片（HBM芯片）及可用于2.5D/3D先进封装设计的ECAD软件的管控；

  
  

• 将134家中国半导体材料/软件/设备供应商/芯片制造商列入实体清单，限制其获得受EAR管辖物项。

一、对先进制程半导体制造的限制

2024新规前，美国出口管制条例(EAR)第744.23节已设有针对先进制程半导体制造的最终用途限制：在未获得许可证的情况下，任何人不得向在澳门或D: 5组国家境内的先进制程半导体制造设施提供任何受EAR管辖的物项。2024新规更有针对性地对关键设备、关键厂商施加限制，对可用于先进制程半导体制造的设备/软件扩大管控范围，并修订细节以防止规避。

（一）对关键设备的限制

新规针对先进制程半导体制造所需的关键设备创设了直接产品规则及最低比例规则，显著提高了设备受EAR管辖、并向澳门及D: 5组国家提供需许可证的可能性。

1.  新增半导体制造设备(SME)直接产品规则

在符合以下产品范围及最终目的地范围时，外国制造产品受EAR管辖：

• 产品范围

外国制造产品ECCN为3B001.a.4, c, d, f.1, f.5, k至n, p.2, p.4, r，或 3B002.c，且符合下列条件之一：

1)  直接利用受EAR管辖（不限定于美国原产）的3D992/3E992类技术或软件生产；或

2)  美国境外生产该产品的工厂或机器设备是美国原产的12个¹第3类技术或软件的直接产物；或

3)  包含的任何第三国产部件符合第2)款情形；

• 目的地范围

知悉产品目的地为澳门或D:5组国家（含中国）。

如果设备因前述规则受EAR管辖，在未获得许可证的情况下，任何人不得向澳门或D: 5组国家提供该设备，且许可证审查政策为推定拒绝。

较以往的规则，2024新规特别增加了对部件的限制。前述受限设备的厂商，为确定是否可向澳门或D: 5组国家提供相关设备，不仅需排查自身产线中的软件/技术/设备，还需排查自产/外采的部件生产过程中使用的设备，这将显著增加设备制造商的合规义务，可能导致实质上无法向澳门或D: 5组国家提供受限设备。

BIS特别增加注释说明，如果设备中的芯片是由使用美国原产软件/技术生产的工厂或机器生产，则该设备受EAR管辖，向澳门或D: 5组国家提供该设备需许可证。

2. 新增半导体制造设备(SME)相关最低比例规则

根据EAR第734.4(a)(8)节，向澳门或D: 5组国家提供ECCN为3B001.a.4, c, d, f.1, f.5, k 至 n, p.2, p.4, r, 或 3B002.c的外国制造设备时，如果该设备含有ECCN第3/4/5类的美国原产集成电路(integrated circuits)，则无最低比例要求(no de minimis level)。

根据一般的最低比例规则，只要外国产品含有的美国原产受控成分（向最终目的地提供需许可证/适用许可例外的成分）的价值比例不高于特定比例（10%或25%），则不受EAR管辖。本次规则明确规定前述半导体制造设备只要含有美国原产的落入ECCN第3/4/5类的集成电路，无论其含有的美国原产部件是否受控及其价值比例，该等设备都将受EAR管辖。

该规则旨在与SME直接产品规则相对应，避免出现无法提供含有外国产零部件的设备，但可以提供含有美国产零部件的设备（例如零部件不受控或成分未超过25%）的情形。但是，如果前述半导体制造设备中含有的美国原产部件并非ECCN第3/4/5类的集成电路（例如EAR99的芯片），在判断该等设备受EAR管辖情况时，仍适用普通最低比例规则（及前述SME直接产品规则），只有美国原产受控成分的价值比例超过25%时，该等设备向中国提供才因最低比例规则受EAR管辖。

3. SME相关许可证要求

根据EAR第742.4(a)(4)以及742.6(a)(6)节，向澳门或D: 5组国家提供任何受EAR管辖的ECCN为3B001.a.4, c, d, f.1, f.5, k 至 n, p.2, p.4, r, 或 3B002.c的设备均需许可证，除非出口商为被列入第742节补编4中的“优待国”²或其他对该等设备施加同等许可证限制的国家，且其总部或最终母公司不位于澳门或D: 5组国家。

（二）对关键厂商的限制：实体清单脚注5相关规则

为实现定向打击，2024新规创设实体清单脚注5，将BIS认为具有先进制程半导体产能的厂商列为实体清单脚注5实体（FN5实体），显著扩大了交易涉及FN5实体时受EAR管辖的物项范围。

1.  新增实体清单脚注5直接产品规则

在符合以下产品范围及最终用户范围时，外国制造产品受EAR管辖：

• 产品范围

外国制造产品的ECCN为3B001 (3B001.a.4, c, d, f.1, f.5, g, h, k至n, p.2, p.4, r除外), 3B002 (3B002.c除外), 3B903, 3B991 (3B991.b.2.a 至3B991.b.2.b除外), 3B992, 3B993, 或3B994，且符合下列任一条件：

1)  直接利用受EAR管辖（不限定于美国原产）的10个³第3类技术或软件生产；或

2)  美国境外生产该产品的工厂或机器是美国原产的12个⁴第3类技术或软件的直接产物；或

3)  包含的任何第三国产部件符合第2)款情形。

• 最终用户范围

知悉产品将被并入FN5实体生产、采购或订购的任何组件、部件或设备，或用于该等组件、部件或设备的生产或研发，或FN5实体为交易方之一（包括买方、中间收货人、最终收货人、最终用户等）。

从产品范围可看出，本规则旨在全面限制向FN5实体提供半导体制造设备。无论设备是否可用于先进制程半导体制造，只要其生产/研发过程中使用了特定软件/技术/机器，或含有使用特定机器制造的部件，在未获得许可证的情况下，任何人不得向FN5实体提供该设备。

与SME直接产品规则类似，如果设备厂商需向FN5实体供货，不仅需要排查自身产线中的软件/技术/机器，还需要排查其自产/外采的零部件生产过程中使用的设备。此外，BIS同样增加注释说明，如果设备中的芯片是由使用美国原产软件/技术生产的工厂或机器生产，则该设备受EAR管辖。

2. 新增实体清单脚注5相关最低比例规则

与FN5直接产品规则相对应，新规针对FN5实体创设新的最低比例规则，限制向FN5实体提供含有美国原产特定部件的设备。根据EAR第734.4(a)(9)节，向FN5实体提供ECCN 3B系列的半导体制造设备（3B001.a.4, c, d, f.1, f.5, g, h, k至 n, p.2, p.4, r及3B002.c除外)，如果该设备含有ECCN第3/4/5类美国原产的集成电路，则无最低比例要求(no de minimis level)。

与SME最低比例规则类似，本次规则明确规定ECCN 3B系列的半导体制造设备，只要含有落入ECCN第3/4/5类的美国原产集成电路，无论其含有的美国原产部件是否受控及其价值比例，该等设备都直接受EAR管辖。但是，如果ECCN 3B系列设备中含有的美国原产部件并非ECCN第3/4/5类的集成电路（例如EAR99的芯片），在判断该等设备受EAR管辖情况时，仍适用普通最低比例规则（3B993.f.1.b除外）⁵，只有美国原产受控成分的价值比例超过25%时，该等设备向中国提供才因最低比例规则受EAR管辖。

3. 实体清单脚注5相关许可证要求

根据EAR第744.11节，新规分两个层次，对适用于FN5实体的许可证要求进行精心设计，以推动盟国加入对中国的半导体制造设备的出口管制：

1)  适用于3B993的许可证要求

新规明确下列实体向FN5实体出口、再出口或国内转移受EAR管辖的3B993设备，需申请许可证：

• 总部或最终母公司位于澳门或D: 5组国家的主体；

• A: 5组内但不属于优待国，且未施加同等出口管制限制的国家境内的主体；

• 在A: 5组国家境外的主体。

从这一系列复杂规定可以看出，目前无需许可证即可向FN5实体提供3B993设备的，只有在优待国境内，且总部或最终母公司不位于澳门或D: 5组国家的主体。此外，由于优待国均加入了多边出口管制机制，我们理解，后续美国将推动将3B993纳入多边出口管制机制，很可能导致在全球范围内均无法向FN5实体提供符合3B993规格的设备。

2)  适用于除3B993以外的设备的许可证要求

除3B993外，其他受限的半导体制造设备包括3B001 (3B001.a.4, c, d, f.1, f.5, g, h, k至 n, p.2, p.4, r除外), 3B002 (3B002.c除外), 3B903, 3B991 (3B991.b.2.a 至3B991.b.2.b除外), 3B611，3B992及3B994。

针对前述设备，新规明确：

• 在A: 5组国家境外，总部或最终母公司在非优待国的实体向FN5实体出口或再出口前述设备需申请许可证；

• 总部或最终母公司在非优待国的实体向FN5实体国内转移前述设备需申请许可证。

换言之，下列情形在EAR下无需申请许可证：

• 在A: 5国家境内的主体向FN5实体出口、再出口前述设备；

• 在A: 5国家境外，总部/最终母公司在优待国的主体向F5实体出口、再出口前述设备；

• 总部/最终母公司在优待国的主体向FN5实体国内转移前述设备。

但需注意，A: 5国家，特别是优待国家后续很有可能出台与美国同等的出口管制限制，在交易涉及FN5实体时，需结合多国法律综合判断相关半导体制造设备的许可证要求。

（三）特定设备/软件的限制（主要针对先进制程）

1. 调整/新增设备限制

关键变化包括：

• 新增3B993及3B994，该等ECCN中主要包含通常用于传统制程，但也可能实现先进制程的设备；

• 将部分通常用于传统制程，但可能实现先进制程的设备从3B001中移出，转入3B993，使得3B001仅包含专用于或专门设计用于(exclusively or designed specifically for)先进制程半导体制造的设备。

这两类ECCN适用的不同许可证要求，意味着BIS在一定程度上放宽了对通常用于传统制程的设备的管控。从3B001中移出的设备，相较之前向澳门或D: 5组国家提供均需要许可证而言，在新规下只有在交易涉及受限实体（FN5实体）或受限最终用途（先进制程半导体制造）时，方受到许可证限制。

此次从3B001转入3B993的设备包括：

此外，3B001，3B993及3B994中均新增了部分原先尚未管控的设备（即此前为EAR99的设备），以下将对新增管控设备进行简要概括：

3B001下：

3B993下：

3B994下：

2.  新增软件/技术限制

新规对所有受EAR管辖的电子计算机辅助设计软件（ECAD软件）或技术计算机辅助设计软件（TCAD软件）施加最终用途限制。如果知晓该等软件将被用于设计在澳门或D:5组国家制造的先进制程芯片，则出口、再出口、国内转移该等软件需申请许可证。此限制切断了中国晶圆厂或为其服务的芯片设计厂商获取该等软件，以协助实现先进制程半导体制造的道路。

此外，新规还增加ECCN 3D993，特别针对协助通过DUV光刻机进行先进制程半导体制造的各类软件向FN5实体及先进制程半导体制造最终用途提供施加许可证限制，受限的软件包括：

• 用于研发和生产3B993设备的软件；

• 用于设计使用多重图形曝光工艺研发或生产的集成电路的ECAD软件；

• 用于研发或生产DUV掩膜或光罩图案的“计算光刻”软件（该等软件主要用于缩小光刻机的最小可分辨尺寸，以实现更高的制程）；

• 用于将DUV或EUV平均每小时处理的晶圆数量提高超过1%的软件。

（四）其他限制

除前述精准打击类限制外，新规还对半导体厂商用于绕过此前限制的技术方案进行了“查漏补缺”：

1.  对“先进制程”(advanced-nodes)定义的修改

为防止存储芯片厂商通过更紧凑的存储单元架构（例如，使用三维电容或高介电常数材料制造更小体积的电容）或3D堆叠的形式在不改变半间距的情况下缩小存储面积，提高存储密度，新规修改了“先进制程”中对于DRAM芯片的定义，从存储面积及存储密度角度规定了受限制程：

• 存储面积低于0.0019μm2；

• 存储密度大于0.288GB/mm2。

如果晶圆厂生产的存储芯片符合前述指标，将受到EAR下针对先进制程半导体制造最终用途的相关限制。

2.  增加对软件密钥的限制

为防止通过软件密钥(software key)的形式向受限的最终用户/用途提供受限软件/硬件，新规明确说明可用于接入或更新特定软件或硬件的软件密钥的ECCN编码与其接入或更新的软件/硬件一致，受到与该等软件/硬件相同的管控。但需注意的是，该等限制当前不适用于解锁潜在功能(dormant functionality)的软件密钥。

3.  增加风险信号以防止规避

为防止晶圆厂通过“白手套”，“传送带”等方式规避EAR针对先进制程半导体制造的限制，新规增加了风险信号，要求半导体设计软件及制造设备厂商在发现该等信号时加强尽调，如果未消除风险信号，不得继续交易：

• 非先进制程厂商采购用于先进制程的设备；

• 订单要求将通常需定制的设备运输至不具有半导体制造能力的公司，且不清楚设备的最终买家或最终用户；

• 订单或需求涉及在当前规则下需许可证方可获取的物项，但不清楚客户获取该等物项时是否申请了许可证（例如FN5实体要求厂商对需许可证方可获取的设备进行维保的情形）；

• 需求涉及为实现更先进的最终用途而改造后的设备提供安装、升级或其他维保服务；

• 新客户的高管或技术团队的主管与实体清单实体存在重合，特别是该实体清单实体在上清单前曾采购过相同物项或服务；

• 新客户希望采购曾为实体清单实体设计或改造的物项或技术；

• 最终用户是与先进制程半导体制造设施物理相连（例如通过桥梁、通道等）的设施。如果BIS未提供咨询意见明确否认，该最终用户应被同步视为先进制程半导体制造设施。

二、对半导体制造设备厂商的限制

2022至2023年，BIS出台并不断完善针对澳门及D: 5组国家境内半导体制造设备相关的最终用途管控，限制向该等国家/地区提供用于研发和生产ECCN 3B系列半导体制造设备的受EAR管辖物项。

此次新规通过将124家半导体产业链中的中国企业加入普通实体清单，进一步扩大限制：

• 被列入普通实体清单的不仅包括半导体制造设备厂商，还包括原材料、软件、配套工具厂商，导致原本未受到半导体制造设备最终用途限制的实体，也无法在未取得许可证情况下获得任何受EAR管辖的物项；

• 针对原本已受到最终用途限制的半导体制造设备厂商，在被列入实体清单后，无论出于何种目的和用途，都无法在未取得许可证情况下获得任何受EAR管辖物项。

我们理解，此次普通实体清单限制是一次更加全面的限制，从实体角度进行一刀切，进一步阻碍中国自主半导体制造设备/材料/软件的研发和生产。

三、对先进计算芯片的限制

为切断中国通过3D堆叠技术将GPU或专用AI芯片与高带宽存储（HBM）芯片共同封装以代替此前已经受限的先进计算芯片的路径，新规增加了针对HBM芯片以及可用于先进封装设计的ECAD软件的限制。

（一）对HBM的限制

1.  许可证限制

新规增加ECCN 3A090.c，限制向澳门及D: 5组国家提供存储带宽密度超过2GB/s/mm2的HBM芯片。此外，根据EAR第744.23节，如果明知前述HBM芯片将被提供至总部或最终母公司位于澳门或D: 5组国家的主体，则需申请许可证。

需注意的是，因HBM芯片为3A090物项，任何外国产的HBM芯片，只要其生产/研发过程中使用了特定受EAR管辖的ECCN第3/4/5类的软件/技术或作为美国原产的该等软件/技术的直接产品的设备，并符合前述最终目的地及最终用户条件，即受EAR管辖，其销售将受到限制。

2.  HBM许可例外

BIS新增对HBM芯片限制的主要目的是防止中国厂商单独采购HBM芯片后与逻辑芯片共同封装以实现高算力。考虑到HBM芯片在与逻辑芯片共同封装后，除先进计算芯片外，还有其他的用途（例如高端消费电子芯片），为避免过度限制对全球半导体产业链的负面影响，新规设置了HBM许可例外，通过一系列复杂的适用条件及尽调要求，为HBM芯片的非先进计算相关用途提供了一定的空间。

为适用HBM许可例外，相关交易必须满足下列所有条件：

• HBM芯片的出口商、再出口商或国内转移的主体必须是总部位于美国或A: 5组国家，且最终母公司的总部不位于澳门或D: 5组国家的实体；

• HBM芯片的买方必须是芯片设计公司，且并非实体清单或其他受限实体；

• 交易涉及的HBM芯片的存储带宽密度低于3.3 GB/s/mm2；

• 使用HBM芯片封装后的芯片不得超过ECCN 3A090.a或3A090.b的指标（无论是否受EAR管辖）；

• HBM芯片的接收主体必须是封装设施(packaging facility)，且不得从事先进制程芯片的生产制造，或为分销商、中间商，此外：

  -   如果封装设施的总部位于A: 5或A：6组国家境内，且其最终母公司并非总部位于澳门或D: 5组国家的实体，该等封装设施需向HBM厂商提供书面文件，证明其接收的所有HBM芯片均已封装成最终成品提供至芯片设计公司；
  

  -   针对其他封装设施，该等设施完成封装后必须将封装后的芯片返还至HBM芯片的提供方。提供方必须检查封装芯片中的HBM芯片数量是否与其提供的芯片数量一致，并留存检查资料供BIS查验。检查完毕后，HBM芯片厂商方可将组合封装后的芯片提供至芯片设计公司。
  

由此可见，即使芯片设计公司位于或其总部/最终母公司位于澳门或D: 5组国家（例如中国），只要其设计的芯片指标未达到3A090.a或3A090.b，其仍可以适用HBM例外采购HBM芯片用于其设计的芯片产品的封装，但无法单独获取HBM芯片。针对位于或其总部/最终母公司位于澳门或D: 5组国家（例如中国）的半导体封装设施，其仍可以为用到HBM芯片的设计方案代工，只要封装后的芯片成品不超过3A090.a或3A090.b的性能指标。

（二）对可用于先进封装设计的ECAD软件的限制

除HBM芯片这一硬件外，新规对设计用于先进计算芯片的ECCN为3D992的ECAD软件向澳门或D: 5组国家提供施加许可证限制。该等软件为支持多芯片集成电路的布局规划及协同设计或仿真的ECAD软件，主要用于2.5D/3D先进封装技术，以及Chiplet架构下模块化的芯片设计方案等，其对通过3D堆叠制造先进计算芯片至关重要。这一限制将导致中国先进计算芯片设计公司及封测厂无法获取关键设计软件，或无法获得相关软件的更新。

四、启示及建议

此次新规通过一系列更加复杂细致的规定，精准打击中国先进制程半导体制造及先进计算行业，并有限地缩小了传统制程生产设备的限制范围（例如将部分3B001的设备移入3B993进行管控）。面临愈加复杂的限制及繁杂的合规要求，如何避免“踩红线”或过度合规，在合规及业务发展之间寻求平衡，将是中国半导体厂商面临的关键命题。

针对半导体供应链各环节的实体，建议如下：

• 针对FN5实体，可考虑妥善利用窗口期处理存续交易，并对新规对设备/软件/技术的获取限制对业务的影响进行整体梳理，明确“卡脖子”要点，进行风险应对；

• 针对半导体制造设备厂商及其他被列入实体清单的实体，需从采购、研发及销售环节评估新规对业务的影响，明确“业务红线”，妥善处理与供应商及客户间的现存及未来业务；

• 针对非先进制程的晶圆厂及封测厂，需仔细判断此次新规中收紧/放宽的相关限制，确保非敏感业务的合规进行，并结合规则评估新规对后续业务发展方向的制约，谨慎制定长期战略计划。

1 3D001 (for 3B commodities), 3D901, 3D991 (for 3B991 and 3B992), 3D992, 3D993, 3D994, 3E001 (for 3B commodities), 3E901 (for 3B903), 3E991 (for 3B991 or 3B992), 3E992, 3E993, or 3E994

2 BIS将同为瓦森纳协定等多边出口管制机制的成员国，且有权对本次新规下受限的半导体制造设备实施出口管制的国家列入第742节补编4，对在该等国家境内或总部/最终母公司位于该等国家境内的主体实施更加宽松的许可证政策（“优待国”）。

3 3D001 (for 3B commodities), 3D901(for 3B903), 3D991 (for 3B991 and 3B992), 3D993, 3D994, 3E001 (for 3B commodities), 3E901 (for 3B903), 3E991 (for 3B991 and 3B992), 3E993, or 3E994

4 3D001 (for 3B commodities), 3D901, 3D991 (for 3B991 and 3B992), 3D992, 3D993, 3D994, 3E001 (for 3B commodities), 3E901 (for 3B903), 3E991 (for 3B991 and 3B992), 3E992, 3E993, or 3E994

5 3B993.f.1.b是波长为193nm及以上的光刻机，因其可一定程度上用于先进制程半导体制造，BIS已于2023年规则中增加了针对该光刻机的0%最低比例规则：只要该等设备将用于先进制程半导体制造，无论其是否含有美国原产成分，均受EAR管辖，除非出口国针对该设备设有同等许可证限制。